碲化铋

碲化铋介绍

碲化铋块的晶格常数为1.0473nm，由共价键结合，有一定离子键成分，半导体材料，为间接带隙半导体，室温禁带宽度0.145eV，电子和空穴迁移率分别为0.135和4.4×10-2m2/(V·s)，温差电优质系数1.6×10-3/K，为良好的温差材料。具有较好的导电性，采用布里奇曼法、区域熔炼法、直拉法制备。碲化铋块P型：碲化铋块掺锑（dopedAntimony)，碲化铋块N型：碲化铋块掺硒（doped Selenium)，形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等。

碲化铋用途

碲化铋块主要用于形成P/N节用于半导体制冷，碲化铋块主要用于温差发电等。